品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:80nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@4.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.7mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si4178DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:75nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@6V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7386DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€17.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: