采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：40，"19+"：763}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R095C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9596，"16+"：8500，"19+"：3500，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R250CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF250N65S3R0L-F154
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4.5V@290µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15NM65N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：983pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD260N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15NM65N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：983pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
