品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:50W
栅极电荷:9.3nC@10V
连续漏极电流:15A
输入电容:1480pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:50W
栅极电荷:9.3nC@10V
连续漏极电流:15A
输入电容:1480pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
功率:2.5W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:50W
栅极电荷:9.3nC@10V
连续漏极电流:15A
输入电容:1480pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: