采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€23W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
