品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: