采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R075CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：4.5V@570µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R075CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK075N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2954pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@75V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP33N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3508pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@16.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R065C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
