采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2475，"15+"：6750，"9999"：1541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD01N60-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：02+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@24V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHLL110TR-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4503NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
