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    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:189W

    阈值电压:5.7V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2131pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@38.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:273nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5682pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP055N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@4.8mA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4305pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH47N60-F133 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH47N60-F133

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000F@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA47N60-F109 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA47N60-F109

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N65C3FKSA1 起订43个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N65C3FKSA1 起订43个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":134,"21+":100}

    包装规格(MPQ):240psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N65C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:2.3V@14µA

    栅极电荷:9.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:2.3V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R027M1HXKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:189W

    阈值电压:5.7V@11mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:2131pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@38.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":747,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC094N06LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:2.3V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@30V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW47N60C3FKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:415W

    阈值电压:3.9V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:320nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@30A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHW47N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4854pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"23+":34400,"MI+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP055N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@4.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4305pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:273nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5682pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86183 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":747,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86183

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@50V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@800µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP055N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000,"23+":34400,"MI+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP055N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:305W

    阈值电压:4V@4.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4305pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订125个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":118,"23+":1395}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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