品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK66N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK66N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:4.5V@8mA
栅极电荷:380nC@10V
输入电容:9890pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: