采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL08N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4436CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL08N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4436CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL08N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL08N03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
