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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
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输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
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功率：3.6W
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输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
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栅极电荷：32nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
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规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
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输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
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输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
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功率：2.5W€5W
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
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功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
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