品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:750mΩ@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:750mΩ@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: