采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R180P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7842TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7842TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5505TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@9.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7842TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
