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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5505TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@9.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5505TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@9.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5505TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@9.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@9.3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
