采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR472ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€14.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1616
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4498
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：44.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1616
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8736TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2315pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
