采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E075ATTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS413DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
