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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF640SPBF

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    功率:3.1W€130W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1300pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3

    漏源电压:500V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    输入电容:2942pF@25V

    类型:N沟道

    功率:223W

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF640SPBF

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    功率:3.1W€130W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1300pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP18N50C-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3

    漏源电压:500V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    输入电容:2942pF@25V

    类型:N沟道

    功率:223W

    包装方式:管件

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    功率:150W

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDPF18N20FT

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:41W

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    导通电阻:140mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF640SPBF

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    功率:3.1W€130W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1300pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1300pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF25N60M2-EP

    输入电容:1090pF@100V

    阈值电压:4.75V@250µA

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    功率:30W

    漏源电压:600V

    导通电阻:188mΩ@9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF24N60DM2

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    功率:30W

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF18N50D-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF18N50D-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3

    导通电阻:280mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:39W

    包装方式:管件

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP24N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP24N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    功率:150W

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP24N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP24N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP24N60DM2

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:150W

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    输入电容:1273pF@100V

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP20N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP20N65M5

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:130W

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    包装方式:管件

    输入电容:1345pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1 起订58个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1 起订58个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":1956,"15+":3345,"19+":500,"22+":52,"9999":383}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPA65R045C7XKSA1

    功率:35W

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    输入电容:4340pF@400V

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:45mΩ@24.9A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125CFD7XKSA1

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    类型:N沟道

    栅极电荷:36nC@10V

    阈值电压:4.5V@390µA

    包装方式:管件

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    输入电容:1503pF@400V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF640SPBF

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    功率:3.1W€130W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1300pF@25V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT-G 起订199个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT-G 起订199个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":603}

    规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G

    功率:35W

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    导通电阻:140mΩ@9A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1 起订349个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1 起订349个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    功率:72W

    连续漏极电流:18A

    阈值电压:4V@280µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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