品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1273pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1311pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1273pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1311pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:59.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1311pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1273pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1273pF@100V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
功率:223W
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP18N50C-E3
漏源电压:500V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
导通电阻:270mΩ@10A,10V
输入电容:2942pF@25V
类型:N沟道
功率:223W
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
功率:150W
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:41W
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
导通电阻:140mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF25N60M2-EP
输入电容:1090pF@100V
阈值电压:4.75V@250µA
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
功率:30W
漏源电压:600V
导通电阻:188mΩ@9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF24N60DM2
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:1055pF@100V
功率:30W
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF18N50D-E3
导通电阻:280mΩ@9A,10V
漏源电压:500V
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:39W
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
功率:150W
包装方式:管件
输入电容:1060pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP24N60DM2
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:150W
包装方式:管件
输入电容:1055pF@100V
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
功率:33.8W
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@6A,10V
输入电容:1273pF@100V
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP20N65M5
导通电阻:190mΩ@9A,10V
连续漏极电流:18A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1345pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":1956,"15+":3345,"19+":500,"22+":52,"9999":383}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA65R045C7XKSA1
功率:35W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:4340pF@400V
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R125CFD7XKSA1
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
功率:92W
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:4.5V@390µA
包装方式:管件
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
输入电容:1503pF@400V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF640SPBF
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
功率:3.1W€130W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1300pF@25V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":603}
规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G
功率:35W
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
导通电阻:140mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
功率:72W
连续漏极电流:18A
阈值电压:4V@280µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: