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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,1.8V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1 起订68个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3412-AU_R1_000A1 起订68个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9634GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9634GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS2582 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS2582 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2582

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN48XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9634GPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9634GPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9634GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30PBF 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN48XP,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN48XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHTA 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3407-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3407-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:87mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV45EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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