品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@440µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
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包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@440µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4V@440µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF10N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF360N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
功率:83W
栅极电荷:18nC@10V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA65R125C7XKSA1
阈值电压:4V@440µA
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1670pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
导通电阻:125mΩ@8.9A,10V
栅极电荷:35nC@10V
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF10N65K3
功率:35W
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
栅极电荷:42nC@10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
阈值电压:4.5V@100µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: