采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：237000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：100psc
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：410pF@25V
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：100psc
规格型号(MPN)：IRFD320PBF
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：490mA
类型：N沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：410pF@25V
导通电阻：1.8Ω@210mA，10V
功率：1W
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：490mA
输入电容：23pF@30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
ECCN：EAR99
功率：410mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD780SN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：410mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@30V
连续漏极电流：490mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：920mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
