采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
输入电容：6100pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
功率：29W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8S36TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@15V
连续漏极电流：27A€80A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.4mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
