采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
栅极电荷：183nC@10V
连续漏极电流：77A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：7268pF@400V
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@2.12mA
漏源电压：650V
功率：320W
包装方式：管件
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60BC6
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.6V@2.96mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
