采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
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输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3619，"23+"：5376}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
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功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8882
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功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
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功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：13.5nC@10V
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输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
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功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@15V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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