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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMB055N08NS1_R2_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.6W
阈值电压：3.75V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@7V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4773pF@40V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
