销售单位:个
规格型号(MPN):AOD5T40P
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:273pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@11.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP26N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N40DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@19A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N40DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@19A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N40D-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N40DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@19A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":609}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP15N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N40DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@19A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@11.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP19N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@9.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD5T40P
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:273pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@11.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3030pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@11.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N40TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5000,"21+":5040,"MI+":5040}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU5N40TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€45W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@1.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG25N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1707pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP45N40DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@19A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: