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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 800mV@250µA
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UVT-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UVT-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.73W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2588pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019UFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8824EDB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8824EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:25.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1508pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1508pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1019USN-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1019USN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:680mW

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50.6nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2426pF@10V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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