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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXAKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265mW€1.33W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.43nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:190mA€300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKMBYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€3.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3070SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3030LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订80个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订80个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXBKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA€330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.51W€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:16.4A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16404Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXBKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA€330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3018SFG-13 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3018SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17510Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17510Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@15V

    连续漏极电流:20A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LSN-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AK,215 起订213个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AK,215 起订213个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002AK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265mW€1.33W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.43nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXAKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265mW€1.33W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.43nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:190mA€300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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