品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ALPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":548}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@840mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI730GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ22N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7815TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1647pF@75V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@3.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7815TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1647pF@75V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@3.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18514Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@20V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBF20SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:35.4A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR610DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@100V
连续漏极电流:8.9A€39.6A
类型:N沟道
导通电阻:31.9mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840ASTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1018pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG20PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@840mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: