采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：140，"04+"：29100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N03-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@24V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8734TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：850，"08+"：378，"10+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4122NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB07R0UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1696pF@10V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@11.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7108DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@22A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8734TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4866DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@17A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8734TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3175pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17575Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€108W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
