品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6400
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5729}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7914TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:15A€35A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8721TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":69000,"21+":13590,"22+":3147312,"MC+":3000,"MI+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4404B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8714TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8721TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4404B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:17A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:17A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: