采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：23A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1633pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ186DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：23A€79.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.8V@50µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R190P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4.5V@630µ
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：23A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13626，"23+"：9144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2008}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N7D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@50V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：12641，"12+"：6000，"13+"：24000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：12641，"12+"：6000，"13+"：24000，"14+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.8V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：23A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4484
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：11A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2015pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ186DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：23A€79.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC022N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
