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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7050,"9999":284}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N62ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订815个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L 起订815个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STTFS015N10MCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:3V@77µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF5N95K3 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF5N95K3 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4315TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL4315TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL4315TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU420PBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU420PBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU420PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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