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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 56nC@10V
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    当前匹配商品:40+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订802个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订802个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":6834}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM018NA03CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM018NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3479pF@15V

    连续漏极电流:185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订625个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订625个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:4105pF@15V

    连续漏极电流:21A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":6834}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":6834}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:4105pF@15V

    连续漏极电流:21A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS7670 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:4105pF@15V

    连续漏极电流:21A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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