采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFX32N100Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1250W
阈值电压：6.5V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9940pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN80N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1116，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M85BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4950pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
