采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1310pF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK90Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@1.05A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO083N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1230，"14+"：49000，"17+"：18990，"19+"：19000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60N04A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1128，"22+"：3000，"23+"：28655，"24+"：3000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€108.7W
阈值电压：4.5V@162µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@75V
连续漏极电流：9.2A€61A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@29A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD07N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF14NM50N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14758，"24+"：3196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ088N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€35W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：8500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@100V
连续漏极电流：6.1A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1230，"14+"：49000，"17+"：18990，"19+"：19000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI07N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@1.05A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
