品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R041CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH94N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1040W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5510pF@25V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@47A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU90N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5170pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR36N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.85Ω@3.15A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR36N60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU90N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5170pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU90N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5170pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: