采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1451pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1423pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH60N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：6250pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@30A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
