采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：80}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH067N65S3-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK44N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：658W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：5440pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：18，"22+"：2165，"23+"：37800，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH4210DTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.1V@100µA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4812pF@13V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB070N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK44N80P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：198nC@10V
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@22A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4V@800µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：930}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF44N25TRDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2870pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@22A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP067N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@4.4mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3090pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.1mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
