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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 6.3A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:0609

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8N90CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB8N90CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB8N90CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@25V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€6.94W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订22个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订22个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N90C 起订239个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP8N90C 起订239个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":730}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP8N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2080pF@25V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN23UN,135 起订2671个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN23UN,135 起订2671个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":10000,"12+":1649}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN23UN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:700mV@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N90C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF8N90C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2080pF@25V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订38个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订38个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订750个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订750个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订12000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订12000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB456DK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB456DK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@50V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订33个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订33个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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