品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN1206L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3535N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2222LL-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6906XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
栅极电荷:2.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3535N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6906XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:44pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3535N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,0V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS159NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@160mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5335N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:350V
包装清单:商品主体 * 1
库存: