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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 13A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD360N80S3Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6,5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R280CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R280CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R280CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:119W

    阈值电压:3.5V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R360PFD7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@140µA

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@290µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R280CEAUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R280CEAUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R280CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:119W

    阈值电压:3.5V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@4.2A,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R360P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R360P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:84W

    阈值电压:3.5V@280µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@500V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCM13N03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD18N60M6
    ST Mosfet场效应管 STD18N60M6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:16.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STL6N3LLH6
    ST Mosfet场效应管 STL6N3LLH6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL6N3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:283pF@24V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R190C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@290µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.8V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:598pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ900N15NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@75V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.8V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:598pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR
    Transphorm Mosfet场效应管 TP65H150G4LSG-TR

    品牌:Transphorm

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP65H150G4LSG-TR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4.8V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:598pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6670A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6670A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N80S3Z

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD360N80S3Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@6,5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180C7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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