品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
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输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
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输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ60N20L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@75V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7178DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7178DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX60N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:610nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@30A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: