品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5682pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SiHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4685pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP055N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:305W
阈值电压:4V@4.8mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4305pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH47N60-F133
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000F@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCA47N60-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@23.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":134,"21+":100}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N65C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3769pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":747,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC094N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:2.3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHW47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4854pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":34400,"MI+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP055N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:305W
阈值电压:4V@4.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4305pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5682pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":747,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86183
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@50V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":34400,"MI+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP055N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:305W
阈值电压:4V@4.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4305pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@100V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":118,"23+":1395}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: