采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ALPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW8N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
包装方式：管件
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N90CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF650N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：4.5V@800µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1565pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840LCLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840LCPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R190C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@290µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1150pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@5.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJP08N90A-BP
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：75，"08+"：342}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N80CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：59W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：630pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2115pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@3.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N90CT
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@4A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：19480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R600P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
