品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKVL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@350mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3402-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ1000UN,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@25V
连续漏极电流:480mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:247pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@3A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.06V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@10V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV303N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:680mA
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:247pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@3A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002P,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: