采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1992000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2Q1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.6A€87A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.6A€87A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.6A€87A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.55V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@12.5V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4A，8V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2Q1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
