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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2063pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：147mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R080G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：174W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@400V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH20N50E-T1-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：22A
包装方式：管件
导通电阻：147mΩ@10A，10V
功率：174W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：2063pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
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