品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: