采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
