品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.44A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKHH
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW€2.8W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@380mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138K-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE138K_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:1nC@4.5V
漏源电压:50V
类型:N沟道
输入电容:50pF@25V
功率:223mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:350mA
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: